眾所周知，三星內(nèi)存是國(guó)際知名品牌，在服務(wù)器領(lǐng)域，特別是眾多品牌服務(wù)器中的保有量相當(dāng)巨大。此次收到由總代提供的16根三星16G RECC DDR3 內(nèi)存，我們將針對(duì)其基于C600芯片組，雙路E5 2600的內(nèi)存多通道性能進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單測(cè)試。
本次測(cè)試的內(nèi)存型號(hào)：三星16G 2R*4 PC3L-12800R-11-12-E2-D4，從型號(hào)的主要參數(shù)中不難看出此內(nèi)存為容量單條16G，2R*4的顆粒，意味著這種內(nèi)存可以支持在標(biāo)準(zhǔn)雙路E5 2600平臺(tái)上16根內(nèi)存滿插。PC3L-12800R代表著DDR3低電壓1.35V 1600內(nèi)存，類型ECC_R。
16根三星16G DDR3 RECC 1600內(nèi)存的集體照。接下來(lái)我們介紹一下本次測(cè)試用的平臺(tái)及測(cè)試軟件。
每個(gè)CPU配4根和8根內(nèi)存的測(cè)試平臺(tái)。
魯大師這個(gè)軟件所羅列的硬件配置大體上對(duì)得上號(hào)，就不另外列表顯示測(cè)試平臺(tái)硬件了。
測(cè)試軟件方面，我們借助AIDA64 Extrame，版本號(hào)：4.20.2833，測(cè)試內(nèi)容就是該軟件所提供的關(guān)于內(nèi)存測(cè)試部分的功能。我們?cè)陔pE5 2600平臺(tái)情況下，分別針對(duì)單通道（32G）、四通道(128G)以及四通道擴(kuò)展(256G)R 內(nèi)存性能進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試結(jié)果如下所示：
此圖為每個(gè)CPU配置1根三星16G RECC DDR3內(nèi)存，單通道模式下內(nèi)存的讀寫(xiě)拷貝延遲等測(cè)試數(shù)據(jù)。
此圖為每個(gè)CPU配置4根三星16G RECC DDR3內(nèi)存，四通道模式下內(nèi)存的讀寫(xiě)拷貝延遲等測(cè)試數(shù)據(jù)。
此圖為每個(gè)CPU配置8根三星16G RECC DDR3內(nèi)存，四通道擴(kuò)展模式下內(nèi)存的讀寫(xiě)拷貝延遲等測(cè)試數(shù)據(jù)。
從上圖我們不難看出，在同一硬件平臺(tái)下，四通道內(nèi)存的讀取、寫(xiě)入及復(fù)制速度比單通道情況下有3-4倍的提升。在四通道（128G)及四通道擴(kuò)展（256G）狀態(tài)下，內(nèi)存的的讀寫(xiě)拷貝基本沒(méi)有變化。對(duì)整體性能沒(méi)有什么影響。在以上三種測(cè)試條件下，內(nèi)存的潛伏即延遲幾乎沒(méi)有差異。
上圖所示為不同內(nèi)存通道數(shù)情況下，我們針對(duì)雙路XEON E5 2650V2 CPU的計(jì)算性能測(cè)試結(jié)果。在CPU PhotoWorxx測(cè)試項(xiàng)中，多通道大內(nèi)存情況下，測(cè)試結(jié)果也是比單通道條件下的數(shù)值有3-4倍的提升。經(jīng)核實(shí)此測(cè)試項(xiàng)CPU PhotoWorxx 著重于CPU的整數(shù)運(yùn)算能力、多核心運(yùn)算能力并涉及到記憶體頻寬的運(yùn)算能力，利用模擬數(shù)位影像處理來(lái)進(jìn)行CPU效能的評(píng)估。這項(xiàng)測(cè)試需要頻繁及大量的記憶體存取操作，所以說(shuō)這項(xiàng)測(cè)試不僅對(duì)處理器的要求很高，同時(shí)對(duì)內(nèi)存速度也有較高的要求。對(duì)于在影片處理，如影片壓縮、影片轉(zhuǎn)檔應(yīng)用比較多的人，此項(xiàng)得分越高越好。另外，在四通道和四通道擴(kuò)展條件下，F(xiàn)PU Mandel和FPU Julia針對(duì)CPU32位、64位浮點(diǎn)運(yùn)算能力兩項(xiàng)測(cè)試中，四通道擴(kuò)展256G反而比128G 4通道測(cè)試數(shù)據(jù)低了近33%。這個(gè)值得注意。
接下來(lái)，我們把CPU和內(nèi)存的占用率跑到100%做一個(gè)加壓測(cè)試，在常溫滿載情況下，雙路E5 2650V2+三星256G內(nèi)存平臺(tái)，CPU與內(nèi)存的測(cè)試溫度都在60度左右。如果是封閉機(jī)箱再加上良好的通風(fēng)散熱，實(shí)際應(yīng)用平臺(tái)的溫度應(yīng)更低于此數(shù)值。
綜上所述，三星的RECC DDR3內(nèi)存的表現(xiàn)是中規(guī)中舉的。我們可以看出在單通道與四通道之間性能的巨大差異。在方案選型中，立足于自身應(yīng)用需求，合理搭配內(nèi)存容量與內(nèi)存通道數(shù)。
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