東芝公司與西部數(shù)據(jù)在經(jīng)歷了長時間的法律訴訟后終于達成和解，雙方繼續(xù)在96層3D-NAND Flash展開合作。12月21日，東芝宣布Fab 7興建計劃。目前，英特爾、三星、東芝等儲存大廠已經(jīng)如解凍寒冰一般陸續(xù)開始增加閃存產(chǎn)能，預計2018年閃存將出現(xiàn)供大于求的現(xiàn)象，各大儲存大廠的近況如何？一起來看看：
英特爾：
英特爾去年3月投入55億巨資以擴建大連廠區(qū)的第二期工程。大連廠區(qū)在2010年正式投產(chǎn)，2017年的擴建工程完成后，將新增約1000套半導體生產(chǎn)設備，生產(chǎn)線投產(chǎn)時間預計為2019年3月。
長江存儲：
長江存儲是一家以開發(fā)半導體和集成電路相關(guān)產(chǎn)品為核心的科技公司，由紫光集團主持成立，早期宣稱將于2017年底量產(chǎn)32層的3D NAND FLASH，產(chǎn)能達到每月30萬片。
三星：
三星也將擴建西安廠二期，持續(xù)放大在中國生產(chǎn)3D-NAND Flash的能量。臺灣媒體報道，三星被手機廠商投訴、發(fā)改委約談后，3D Flash在2018年Q1降價5%，壟斷是要付出代價的。
現(xiàn)在各存儲大家都在逐漸擴充產(chǎn)能，2018年的3D-NAND Flash市場預計將在3個季度后逐漸回至2016年水平，而2019年后的3D-NAND Flash預期將供過于求，全球半導體產(chǎn)能大戶分布呈現(xiàn)中-日-韓三足鼎立之勢。
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